発光素子用基板および発光素子

開放特許情報番号
L2010003503
開放特許情報登録日
2010/6/11
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2008-222095
出願日 2008/8/29
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2010-056434
公開日 2010/3/11
登録番号 特許第5344676号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 発光素子用基板および発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光増幅器、発光ダイオード、半導体レーザ、発光素子
目的 非極性基板または半極性基板を用いた発光素子において、発光端面の平坦性を向上させ、発光波長を緑色領域まで長波長化する技術の提供。
効果 非極性基板または半極性基板を用いた発光素子において、発光端面の平坦性を向上させ、発光波長を緑色領域まで長波長化させることができる。
技術概要
この技術では、発光素子用基板は、混晶組成をAl↓((x))In↓((y))Ga↓((1−x−y))N、0≦x≦1、0≦y≦1と表すとき、点(x,y)がA点(0.68,0.32)、B点(0.19,0.17)、C点(0.16,0.55)およびD点(0.38,0.62)を頂点とする四角形の領域内に位置する非極性AlInGaN混晶基板を備えるものとする。点(x,y)がA’点(0.3,0.2)、B点(0.19,0.17)、C点(0.16,0.55)およびD’点(0.3,0.59)を頂点とする四角形の領域内に位置していてもよい。または発光素子用基板は、混晶組成をAl↓((x))In↓((y))Ga↓((1−x−y))N、0≦x≦1、0≦y≦1と表すとき、点(x,y)がE点(0.69,0.31)、F点(0.16,0.15)、G点(0,0.27)、H点(0,0.5)およびI点(0.39,0.61)を頂点とする五角形の領域内に位置する半極性AlInGaN混晶基板を備えるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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