同軸磁化プラズマ生成装置

開放特許情報番号
L2010003423
開放特許情報登録日
2010/6/4
最新更新日
2014/7/31

基本情報

出願番号 特願2009-171864
出願日 2009/7/23
出願人 学校法人日本大学
公開番号 特開2010-050090
公開日 2010/3/4
登録番号 特許第5532720号
特許権者 学校法人日本大学
発明の名称 同軸磁化プラズマ生成装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 同軸磁化プラズマ生成装置
目的 高効率・高輝度なプラズマ生成が可能であり、さらに、電極の長寿命化、デブリによる窓の曇りや損傷の軽減が可能な同軸磁化プラズマ生成装置を提供する。
効果 同軸磁化プラズマ生成装置では、高効率・高輝度なプラズマ生成が可能である。さらに、電極の長寿命化や、デブリによる窓の曇りや損傷の軽減が可能である。
技術概要
図1は、同軸磁化プラズマ生成装置の構成を説明するための長手方向の概略断面図である。同軸磁化プラズマ生成装置は、外部導体1と、内部導体2と、プラズマ生成ガス供給部3と、電磁コイル4と、電源回路5から主に構成される。外部導体1は、円筒形状の導体からなる。また、内部導体2は、外部導体1と同軸状に配置されている。そして、プラズマ生成ガス供給部3は、外部導体1と内部導体2との間にプラズマ生成ガスを供給するように構成される。また、電磁コイル4は、外部導体1と内部導体2との間にバイアス磁界を発生する。図2は、同軸磁化プラズマ生成装置の電源回路を説明するための回路図である。トランジスタ52は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、ゲートへの制御信号によりON/OFF制御され、外部導体1と内部導体2との間に、コンデンサ51の直流出力を連続パルス状に印加する。なお、電源回路における過電圧や過電流(サージ)によるトランジスタの破壊を防止するために、電源回路にスナバ回路を設けても良い。図3は、電源回路がスナバ回路を具備する場合の例を説明するための回路図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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