シリコン細線光導波路の作製方法

開放特許情報番号
L2010003292
開放特許情報登録日
2010/5/28
最新更新日
2011/10/28

基本情報

出願番号 特願2010-041286
出願日 2010/2/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-180166
公開日 2011/9/15
発明の名称 シリコン細線光導波路の作製方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 電子ビーム露光技術、液浸ArFエキシマーステッパ技術
目的 i線ステッパ等解像度が低いステッパを用いても電子ビーム露光技術あるいは液浸ArFエキシマーステッパ技術によると同等のシリコン細線光導波路の先鋭構造の実現。
効果 本技術によれば、電子ビーム露光技術あるいは液浸ArFエキシマーステッパ技術によると同等のシリコン細線光導波路の先鋭構造を量産可能かつ廉価に実現することができる。
技術概要
本技術では、形成されたシリコン細線光導波路のコア構造上に、フォトレジストを塗布する。続いて、先鋭構造を構成することになる一辺となる辺を一部に含むマスクパターンを用いて、この辺の外側の領域のフォトレジストが除去されるように、i線ステッパ露光と現像を行う。続いてフォトレジストが除去された開口に露出しているコア構造をドライエッチングにより除去した後、残渣レジストを除去することにより、コア構造を形成する。続いてフォトレジストを塗布する。続いて、先端構造を構成することになる他の一辺となる辺2を一部に含むマスクパターンを用いて、この辺の外側の領域のフォトレジストが除去されるように、i線ステッパ露光と現像を行う。i線ステッパ露光の際には、あらかじめ基板に形成しておいたアライメントマークを基準とした位置合わせを行う。続いてフォトレジストが除去された開口に露出しているコア構造をドライエッチングにより除去した後、残渣レジストを除去することにより、一辺、他の一辺を有する先鋭構造を形成する。これにより、所望の回折限界を超えた先端が幅100nm以下の先鋭構造を実現することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT