反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス

開放特許情報番号
L2010003174
開放特許情報登録日
2010/5/14
最新更新日
2012/9/24

基本情報

出願番号 特願2008-165195
出願日 2008/6/25
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2010-010233
公開日 2010/1/14
登録番号 特許第5057338号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス
目的 400℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
効果 400℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供することができる。
技術概要
第1の強磁性体と、第2の強磁性体と、第1の強磁性体と第2の強磁性体との間に挟まれて存在する極薄非磁性金属体とを具え、第1の強磁性体の磁化と第2の強磁性体の磁化とが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体において、第1の強磁性体および第2の強磁性体の一方はCoFeB合金またはCoFe合金からなり、他方は面心立方構造を有するCoFe合金またはNiFe合金からなる。また、強磁性金属磁化固定層/絶縁体/強磁性金属磁化自由層からなり磁化固定層の磁化と磁化自由層の磁化との相対角度により抵抗が変化するトンネル磁気抵抗素子において、反平行結合膜構造体を磁化自由層あるいは磁化固定層の少なくとも一方に用いたトンネル磁気抵抗素子である。また、トンネル磁気抵抗素子を用いた磁気デバイスである。図1は反平行結合膜構造体を示す模式断面図である。また、図2に示すように、Ta/Ruの下地層を用いた反平行結合膜構造体では、他の下地層の試料と異なり、400℃の熱処理温度まで飽和磁場が大きい値を維持しており、Ta/Ru下地層が高耐熱反平行結合膜構造体の下地層として好ましい。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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