複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置
- 開放特許情報番号
- L2010003087
- 開放特許情報登録日
- 2010/4/23
- 最新更新日
- 2022/9/1
基本情報
| 出願番号 | 特願2008-211184 |
|---|---|
| 出願日 | 2008/8/19 |
| 出願人 | 独立行政法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/3/4 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
| 技術分野 | 金属材料、有機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造、表面処理 |
| 適用製品 | 複合材料の製造装置 |
| 目的 | シリコン表面とめっき材との密着性が高められた複合材料と、その複合材料の製造方法、並びにその製造装置を提供する。 |
| 効果 | 母材のシリコン層上に、そのシリコン層上に分散配置された金が触媒活性を示す還元剤により還元され得る金属又はその金属の合金が、その自己触媒型無電解めっき法によって形成される。その結果、その特定金属等は、当初のシリコン層表面の凹凸に依存することなく、その金を起点として、その母材のシリコン層と高い密着性を保ちながらその表面を覆うように形成される。 |
技術概要) |
少なくとも最上層にシリコン層が形成されている母材であるシリコン基板１０２の表面を金（Ａｕ）のイオンを含有する第１溶液に浸漬することにより、その母材の表面上にそのシリコン層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の第１金属である金（Ａｕ）を分散配置する分散配置工程と、その金（Ａｕ）が触媒活性を示す還元剤及びその還元剤により還元され得る金属のイオンを含有する第２溶液２４に浸漬することにより、金（Ａｕ）を起点として、そのシリコン基板１０２の表面が、自己触媒型無電解めっき法により形成されたこの金属又はその金属の合金１０８によって覆われるめっき工程とを含んでいる。起点は、母材表面上に３×１０↑１↑０個／ｃｍ↑２以上１×１０↑１↑３個／ｃｍ↑２以下の数密度で分散された粒子状又はアイランド状の金（Ａｕ）である。シリコン層は単結晶シリコンであるとともに、金（Ａｕ）が配置された母材表面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が、１．１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下である。シリコン層が単結晶シリコンであるとともに、金（Ａｕ）が配置された母材における母材表面が、実質的に平坦である。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| 導入メリット | 【 】
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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