炭素膜

開放特許情報番号
L2010002824
開放特許情報登録日
2010/4/2
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2009-259520
出願日 2009/11/13
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-030899
公開日 2010/2/12
登録番号 特許第5158525号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭素膜
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭素膜
目的 高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供する。
効果 この炭素膜、炭素粒子および積層体は、粒子が小さくなっても高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、鉄、銅、プラスチックを含む基材の種類を問わず密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能である。
技術概要
炭素膜は、Cu Kα↓1線によるX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角(2θ±0.3°)の43.9°のピークフィッティング曲線Aに41.7°のピークフィッティング曲線Bおよびベースラインを重畳して得られる近似スペクトル曲線を有し、フィッティング曲線Aの強度に対するフィッティング曲線Bの強度が5〜90%であり、膜厚2nm〜100μmからなり、ラマン散乱分光スペクトルにおいて、ラマンシフトが1333±10cm↑−↑1にピークを有し、かつそのピークの半値幅が10〜40cm↑−↑1である。ここでフィッティング曲線AはピアソンVII関数の曲線、フィッティング曲線Bは非対称正規分布関数の曲線、前記ベースラインは一次関数をもって表される。X線回折スペクトルの2θが43.9°にピークを形成する立方晶ダイヤモンドと、低角側の41.7°にピークを形成する結晶欠陥を備え、結晶欠陥が六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える。炭素膜は、表面粗さ(Ra)が20nm以下の平坦な表面からなる。炭素膜は、電気抵抗率が100℃において1×10↑7Ωcm以上である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 大面積ガラス保護膜、高屈折率光学材料、高熱伝導ヒートシンク、電極材料、機械工具保護膜、研磨用工具、電子放出材料、高周波デバイス(SAWデバイス)、ガスバリアーコーティング材料、トライボ材料、腕時計・携帯電話等のカバーガラスの保護膜、生体適応材料、バイオセンサー等の用途に用いることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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