検出素子の製造方法及び遠赤外線検出器の製造方法。

開放特許情報番号
L2010002796
開放特許情報登録日
2010/4/2
最新更新日
2011/10/7

基本情報

出願番号 特願2008-210106
出願日 2008/8/18
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2010-045313
公開日 2010/2/25
発明の名称 検出素子の製造方法及び遠赤外線検出器の製造方法。
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 検出素子及び遠赤外線検出器
目的 不純物の濃度分布の変化が急峻な検出素子を安定的に製造することができる検出素子の製造方法、及び遠赤外線検出器の製造方法を提供する。
効果 不純物の濃度が異なる吸収層用ウェハーとブロッキング層用ウェハーとを張り合わせることにより、吸収層の不純物がブロッキング層に拡散することを防いで、不純物の濃度分布の変化が急峻な検出素子を安定的に形成することができる。また、アニール処理を行うことにより、吸収層とブロッキング層との貼り合わせをより強固にすることができる。
技術概要
遠赤外線を吸収する吸収層と、暗電流を抑制するブロッキング層とを有する検出素子の製造方法において、吸収層用ウェハー及びブロッキング層用ウェハーの互いに対向する面をそれぞれ洗浄する工程と、吸収層用ウェハーとブロッキング層用ウェハーとを張り合わせる工程とを有する。図1に示す遠赤外線検出器1は、一対の電極2と、検出素子3とを備え、検出素子3は、光を吸収する吸収層4と、暗電流を抑制するブロッキング層5とからなる。この遠赤外線検出器1は、一方の電極2aの表面に対しブロッキング層5、吸収層4が順に設けられ、吸収層4に対し他方の電極2bが形成される。ブロッキング層5側の表面に形成される一方の電極2aは、ブロッキング層5側から光を入射させるため、例えば櫛型の電極パターンを用いることが好ましい。吸収層4及びブロッキング層5は、遠赤外領域の光子エネルギー吸収に適した不純物準位を有するGeに不純物としてSbをドープしたGe:Sb型検出素子が好適に用いられる。この遠赤外線検出器1は、ウェハボンディングにより形成することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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