オーミック電極、オーミック電極の製造方法、電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、および、半導体装置

開放特許情報番号
L2010002764
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願2005-236389
出願日 2005/8/17
出願人 沖電気工業株式会社
公開番号 特開2007-053185
公開日 2007/3/1
登録番号 特許第4333652号
特許権者 沖電気工業株式会社
発明の名称 オーミック電極、オーミック電極の製造方法、電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、および、半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 オーミック電極、オーミック電極の製造方法、電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法、および、半導体装置
目的 オーミック電極と電子走行層との間のコンタクト抵抗の値を、オーミック電極を電子供給層の表面からヘテロ界面未満の深さに設けた場合よりも、低減させることができるオーミック電極およびその製造方法を提供することにある。
効果 オーミック電極をヘテロ界面未満の深さに配置した場合に比べて、オーミック電極と電子走行層との間のコンタクト抵抗を低減することができる。
技術概要
 
基板の主面側に形成されている第1の半導体層からなる電子走行層と、 前記電子走行層とヘテロ界面においてヘテロ接合して、前記電子走行層上に形成された、前記第1の半導体層よりも電子親和力の小さい第2の半導体層を含む電子供給層と、 前記へテロ界面から前記電子走行層中にわたって誘起されている2次元電子ガスからなる2次元電子層と を備えた構造体に設けられるオーミック電極極。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 沖電気工業株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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