磁界印加シリコン結晶育成方法および装置

開放特許情報番号
L2010002669
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2013/6/26

基本情報

出願番号 特願2008-099262
出願日 2008/4/7
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2009-249232
公開日 2009/10/29
登録番号 特許第5240905号
特許権者 国立大学法人信州大学
発明の名称 磁界印加シリコン結晶育成方法および装置
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 シリコン結晶、シリコン単結晶、磁界印加シリコン結晶育成装置、磁界印加シリコン結晶育成方法、半導体シリコン結晶育成
目的 大形・高品質シリコン単結晶育成に、磁界印加技術は必須技術であるにもかかわらず、磁界印加装置が非常に高価であり、かつ、ランニングコストも高い、運用上に複雑で不安定な要因が数々残っている等といった問題がある。そこで、磁界印加シリコン単結晶育成において、装置価格(イニシャルコスト)も運用経費(ランニングコシト)も安価で操作も容易な磁界印加シリコン結晶育成方法および装置を提供する。
効果 直径300mm以上のLSI基板用シリコン単結晶育成および太陽電池基板用シリコン単結晶育成において必須技術になりつつある磁界印加技術分野において、磁界の発生手段として希土類系永久磁石を用いることによって、磁界印加装置の価格が、1/2〜1/5と大幅に低減でき、その運用経費が極端に低減でき、また、装置の構成・構造が簡単になることで装置の運用が簡単・容易になる。
技術概要
この磁界印加シリコン結晶育成装置は、従来のコイルに大電流を流して磁界を発生する電磁石あるいは超電導磁石に代えて、磁界発生手段として永久磁石を適用する。適用する永久磁石材料としては、特に、希土類系強磁性体を適用することが望ましく、希土類元素(アクチニウムを除く第3族元素やランタノイド)を用いて作られる磁石であって、サマリウムコバルト磁石、ネオジム磁石、プラセオジム磁石などが挙げられる。磁界印加シリコン結晶の育成方法は、シリコン融液をるつぼに収納し、永久磁石の発生する磁界をこのるつぼに印加してシリコン結晶を育成する。図は、非軸対称性の磁界印加シリコン結晶育成装置の一例を示す立面(断面)図(a)、および平面(断面)図(b)であり、1は永久磁石、2、2’は磁気回路を形成する継鉄、3および3’は磁極(N極)および磁極(S極)を示す。4は磁極(N極)3および磁極(S極)3’に挟まれるように配置したシリコン結晶成長装置主要部のチャンバを示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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