静電容量型センサ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010002637
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願2004-294923
出願日 2004/10/7
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2006-108491
公開日 2006/4/20
登録番号 特許第4355273号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 静電容量型センサ及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 検査・検出、機械・部品の製造、その他
適用製品 静電容量型センサ
目的 この発明は、静電容量の変化量を検知して動作する静電容量型センサを検知精度の高い、安価な装置として提供する。
効果 この発明の装置によれば、従来の静電容量型センサに比べ、寄生容量を小さくするための従来の様な特別な工程を追加することなく、低コストで検知感度の向上を図ることができる。
技術概要
従来から、シリコンを主材料として半導体微細加工技術により製造される静電容量型センサが知られている。しかしながら、従来の静電容量型センサは、ボロンが高濃度にドープされたシリコンでダイヤフラムを形成しているので、ダイヤフラムの内部に非常に強い引っ張り応力が生じ、検知感度が低下すると言う問題があった。 この発明の静電容量型センサは、シリコンマイク素子と、シリコン支持基板と、シリコン支持基板と、シリコン支持基板上に形成された酸化シリコン層と、酸化シリコン層上に形成された可動電極板と、シリコン支持基板上に設けられた支持部に支持されたバックプレートと、可動電極板に設けられた第1電極と、バックプレートに設けられた第2電極とを有する。可動電極板は、犠牲層を介してバックプレートと対向配置され、音波の強さに応じて振動するダイアフラムを備え、支持部は、酸化シリコン層、研磨ストッパ及び犠牲層を備えている。この構成により、固定電極板が、第1絶縁層、第2絶縁層及び第3絶縁層で構成された支持部によって支持されるので、第2絶縁層のみで支持部が構成されるため、従来の静電容量型センサに比べ、低コストで検知感度の向上を図ることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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