Si−SiC複合材の製造方法

開放特許情報番号
L2010002480
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願2001-265228
出願日 2001/9/3
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2003-071555
公開日 2003/3/11
登録番号 特許第4376479号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 Si−SiC複合材の製造方法
技術分野 無機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 Si−SiC複合材
目的 開気孔を持つ多孔質SiC中にSiを含浸する方法において、複雑な含浸機構や高価な装置を用いずに、簡便かつ容易な方法によって緻密なSi−SiC複合材を得る製造方法、またSiの供給速度を容易に制御できる製造方法を提供する。
効果 炭素繊維の巻き込みやSiの塗布、充填といった煩雑で人手の掛かる準備が不用となり、極めて簡単で、効率的な製造方法が提供可能となった。特に、製品形態の異なる複数個の製品の一括処理が可能となり生産効率が著しく高くなった。
技術概要
 
SiCを主成分とする焼成体の上部にSiを入れた坩堝を2個以上設置し、この坩堝を加熱してSiを溶融状態とし、Siの融液を坩堝が有する孔を通じて焼成体表面に供給し、Siを焼成体に含浸させてSi−SiC複合材を製造する方法である。好ましくは、坩堝は、SiCを主成分とし、密度が1.70g/cm↑3〜2.90g/cm↑3の範囲内であり、密度比が53TD%〜90TD%の範囲内であり、水銀ポロシメーターで測定した平均気孔径が300nm〜4000nmの範囲内である。坩堝は、粒度0.1μm〜300μmの範囲内のSiC粉末に、結合材を加えて鋳込み成形、または、ラバープレス成形、または、金型成形し、その後、1200℃〜2300℃の温度範囲内で加熱して焼成した、SiCを主成分とする。SiCを主成分とする焼成体は、密度が1.30g/cm↑3〜3.02g/cm↑3の範囲内であり、密度比が40TD%〜92TD%の範囲内であり、水銀ポロシメーターで測定した平均気孔径(平均細孔径)が50nm〜30μmの範囲内である。SiCを主成分とする焼成体への坩堝からのSiの供給速度は、1g/分〜200g/分の範囲内である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 この製造方法を用いることによって製造したSi−SiC複合材は、高純度で緻密な組織を有し、特に半導体用冶具の分野で、製品の歩留まりを高める信頼性の高い冶具を提供可能となった。

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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