AlGaInP発光ダイオード

開放特許情報番号
L2010002473
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願平11-242473
出願日 1999/8/30
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-068731
公開日 2001/3/16
登録番号 特許第4313478号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオード
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 AlGaInP発光ダイオード
目的 発光層の上下双方向にGaP結晶体からなる窓層を設けるにあたり、III−V族化合物半導体構成層との格子不整合性を緩和でき、均一な接合強度をもって貼付でき、良好なオーミック接触性を発現するとともに、且つ、優れた発光の透光性をもたらす、III−V族化合物半導体構成層上にGaP窓層を設ける技術を提供する。
効果 発光層の上下の双方向に発光を外部に透過するのに好都合となるGaP結晶体を、金属酸化物層を介在させて設けることとしたので、III−V族化合物半導体構成層との間の格子不整合性を緩和しつつ、従って、亀裂等を発生させることなく、GaP結晶体が接着でき、高輝度のAlGaInP系LEDが提供できる。
技術概要
n形のIII−V族化合物半導体構成層、(Al↓XGa↓1↓−↓X)↓YIn↓1↓−↓YP(0≦X≦1、0<Y≦1)の発光層、及びp形のIII−V族化合物半導体構成層を積層した発光部を有するAlGaInP発光ダイオードである。n形、p形のIII−V族化合物半導体構成層上に、金属酸化物層を介して、n形、p形のIII−V族化合物半導体構成層と夫々同一の伝導形を有するGaP結晶層を貼付し、n形のIII−V族化合物半導体構成層上の金属酸化物層は、第III−VI族の夫々の金属元素の酸化物層であり、p形のIII−V族化合物半導体構成層上の金属酸化物層は、第II族の金属元素の酸化物層である。n形、p形の導電性GaAs単結晶等の基板101上に、緩衝層102、AlGaInP下部クラッド層103、AlGaInP発光層104、AlGaInP上部クラッド層105等のLED10を構成するために必要なIII−V族化合物半導体構成層102〜105を、MOCVD等の手段を利用してエピタキシャル成長させて積層構造体100Aを構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 接着するn形及びp形GaP結晶体の層厚を略同一とすることとしたので、AlGaInP系発光層に印可される歪み量の均等化が図れ、動作信頼性に優れるAlGaInP系LEDが提供できる。

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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