AlGaInP発光ダイオード

開放特許情報番号
L2010002470
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願平11-220592
出願日 1999/8/4
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-044503
公開日 2001/2/16
登録番号 特許第4298861号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオード
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 AlGaInP発光ダイオード
目的 AlGaInPLEDの酸化物窓層と容易にオーミック接触でき、また、窓層から剥離し難い構造からなる電極を提供する。
効果 重層構造から電極を構成すれば、酸化物窓層と良好なオーミック特性が果たせるため、順方向電圧が低減されて、高輝度のAlGaInPLEDが得られる。
技術概要
発光層が(Al↓XGa↓1↓−↓X)↓YIn↓1↓−↓YP(0≦X≦1、0<Y≦1)からなるpn接合型ダブルヘテロ構造のLEDは、発光の取出し方向にn形酸化亜鉛を含む窓層を有し、窓層の上部に複数層から構成される電極を有し、窓層と電極の最下層が直接又は酸化物保護層を介して接しており、電極の最下層が5〜100nmの厚さをもつ遷移金属の酸化物を含む層からなり、電極の最上層が金属層からなる。積層構造体30の上部に設けた窓層106上には、n形オーミック電極107を敷設した。n形オーミック電極107の、ZnO層と接合する最下層107aは先ず、真空蒸着法により、Niを被着させて構成した。Ni膜の層厚は約10nmとする。Ni膜上には、真空蒸着法により最上層107bとしてAu膜を重層させた。Au膜の膜厚は約1.5μmとする。次に、p形GaAs基板101の裏面に金・亜鉛合金(Au98重量%−Zn2重量%)からなる電極材料を真空蒸着法により被着させた。然る後、アルゴン気流中で420℃で5分間のアロイ(alloy)熱処理を施し、p形オーミック電極108とした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 この重層構造の電極とすれば、酸化物窓層との密着性に優れるオーミック性電極が得られる。

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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