AlGaInP発光ダイオード

開放特許情報番号
L2010002427
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願平11-212127
出願日 1999/7/27
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-044494
公開日 2001/2/16
登録番号 特許第4286983号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオード
技術分野 電気・電子、情報・通信、生活・文化
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 発光半導体素子
目的 この発明は、発光層から上下双方向の発光を取り出す発光透過層の、密着性とオーミック接触性を高めた、高輝度のAlGaInP発光素子を提供する。
効果 この発明の装置によれば、発光層の上下の双方向に発光を外部に透過するのに好都合となる発光透過層を、V−X族化合物半導体層との間のオーミック接触性を向上させて設けたので、順方向電圧が低くかつ均一である、高輝度のAlGaInP発光素子が提供出来る。また、V−X族化合物半導体結晶体からなる発光透過層を、不整合性緩和層を介して設ける構成としたので、密着性に優れる発光透過層が得られ、順方向電圧が低くかつ、均一である高輝度のAlGaInP発光素子が提供出来る。
技術概要
従来、窓層である酸化物層をV−X族化合物半導体表面に、直接接合させる構造をとった場合、両層間では良好なオーミック接触を得ることは困難で、順方向特性が低く、均一で安定な特性が得られなかった。 この発明のAlGaInP発光素子は、GaAs単結晶基板上に第1のV−X族化合物半導体層、(Al↓XGa↓1↓−↓X)↓YIn↓1↓−↓YP(0≦X≦1、0<Y≦1)からなる発光層に、第2のV−X族化合物半導体層を積層し、その後GaAs基板を除去し、第1のV−X族化合物半導体層の反対側に、金属を含むオーミック接触層、酸化物からなる第1の発光透過層、及びオーミック電極を設け、第2のV−X族化合物半導体層の反対側に、V−X族化合物半導体からなる第2の発光透過層、及びオーミック電極を設けたものである。この構造で、第2の発光透過層は、リン化ガリウム、または窒化ガリウムで形成している。また、第2のV−X族化合物半導体層と第2の発光透過層との間には格子の不整合を緩和するためのアモルファスNi膜を形成している。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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