炭化珪素単結晶およびその製造方法

開放特許情報番号
L2010002412
開放特許情報登録日
2010/3/26
最新更新日
2010/3/26

基本情報

出願番号 特願平10-368566
出願日 1998/12/25
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2000-191399
公開日 2000/7/11
登録番号 特許第4230035号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 炭化珪素単結晶およびその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化珪素単結晶、炭化珪素種結晶、炭化珪素単結晶の製造方法、ハードエレクトロニクスに用いる炭化珪素単結晶、珪素ガス炭素反応法
目的 従来法で炭化珪素単結晶を成長させた場合、結晶成長方向に貫通するマイクロパイプが10↑2 〜10↑3 個/cm↑2 存在する。このマイクロパイプは、炭化珪素単結晶成長中に発生する結晶欠陥で、デバイス作製時、最終製品の特性、製品歩留まりに悪影響を及ぼす。そこで、昇華法あるいは珪素原料を蒸発させ炭素原料と反応させることにより炭化珪素単結晶を製造する方法(珪素ガス炭素反応法)において、マイクロパイプ等の欠陥の少ない炭化珪素単結晶を成長させる目的で、成長開始面に傷や歪みの無い炭化珪素種結晶を提供する。
効果 この単結晶の製造方法によれば、炭化珪素単結晶成長において、炭化珪素種結晶に起因する欠陥を低減することができ、半導体デバイスの歩留まり向上により、製造コストを低減することが可能であり、最終製品の特性も良好である。
技術概要
この炭化珪素単結晶の製造方法は、珪素ガス炭素反応法により種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、種結晶として電解インプロセスドレッシング研削法で加工した炭化珪素結晶を用いる方法であり、具体的には昇華法および珪素ガス炭素反応法により種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、種結晶として電解インプロセスドレッシング研削法で加工した炭化珪素単結晶を用いる。なお、種結晶の加工に用いられる炭化珪素結晶としては、アチソン法で得られた結晶、昇華法または珪素ガス炭素反応法で得られた単結晶およびこの技術による方法で得られた単結晶等を用いることができる。この方法では、種結晶に使用する炭化珪素単結晶を加工し、加工面上に炭化珪素を単結晶で成長させる必要がある。この加工面上に加工傷や加工歪みがあると、結晶性が保持されず、結晶欠陥の原因となるが、電解インプロセスドレッシング研削法で加工した場合、これらの傷や歪みが従来法に較べ低減され結晶成長時のマイクロパイプ等の欠陥数を低減させることができる。図は、昇華法による単結晶成長装置の一例、および珪素ガス炭素反応法による単結晶成長装置の一例を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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