n型GaP単結晶基板、その製造方法、GaP緑色系発光ダイオード用エピタキシャル基板およびGaP緑色系発光ダイオード

開放特許情報番号
L2010002168
開放特許情報登録日
2010/3/19
最新更新日
2010/3/19

基本情報

出願番号 特願2001-074304
出願日 2001/3/15
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2002-280605
公開日 2002/9/27
登録番号 特許第3797124号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 n型GaP単結晶基板、その製造方法、GaP緑色系発光ダイオード用エピタキシャル基板およびGaP緑色系発光ダイオード
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 黄緑色LED、純緑色LED
目的 高輝度で、かつ低い順方向電圧で駆動可能な緑色系発光ダイオードを作製するために好適に用いることができるn型GaP単結晶基板とその製造方法の提供。
効果 GaP緑色系発光ダイオードの高輝度化および低VF化の要求に対応するために、n型GaP単結晶基板のキャリヤ濃度の最適範囲を狭めても、基板収率を低下させないGaP単結晶インゴットを作製することができる。また、そのインゴットからGaP緑色系LEDの製造に好適に用いることができるGaP単結晶基板を製造することができる。更に、GaP単結晶基板に起因するVFのばらつきや輝度低下が発生しない高輝度でかつVFの低減された発光ダイオードを作製することができる。
技術概要
この技術は、n型のドーパントとしてSiとTeが同時にドープされたn型GaP単結晶基板において、n型GaP単結晶基板中のSi濃度とTe濃度の和が2×10↑(17)cm↑(−3)以上2×10↑(18)cm↑(−3)以下であり、かつSi濃度が2×10↑(16)cm↑(−3)以上8×10↑(17)cm↑(−3)以下であり、かつTe濃度が1×10↑(17)cm↑(−3)以上2×10↑(18)cm↑(−3)以下であることを特徴とするn型GaP単結晶基板を提供する。また、このn型GaP単結晶基板は、n型キャリヤ濃度が1.5×10↑(17)cm↑(−3)以上10×10↑(17)cm↑(−3)以下、特に、n型キャリヤ濃度が2×10↑(17)cm↑(−3)以上8×10↑(17)cm↑(−3)以下であることが好ましい。そして、このn型GaP単結晶基板は、液体封止チョクラルスキー法により育成されたn型GaP単結晶インゴットから作製されたものであることが好ましい。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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