| 出願番号 |
特願2000-511938 |
| 出願日 |
1998/9/11 |
| 出願人 |
昭和電工株式会社 |
| 公開番号 |
WO1999/014405 |
| 公開日 |
1999/3/25 |
| 登録番号 |
特許第4199921号 |
| 特許権者 |
昭和電工株式会社 |
| 発明の名称 |
炭化珪素単結晶を製造する方法および装置 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
高温下でも使用可能な耐環境素子材料、耐放射線素子材料、電力制御用パワー素子材料、短波長発光素子材料 |
| 目的 |
安定した条件下に連続的かつ高速で大口径、高品位の炭化珪素単結晶を製造する方法の提供。 |
| 効果 |
本技術によれば、珪素原料からの蒸発ガスを上昇せしめて加熱炭素材を通し、さらに上昇せしめて種結晶基板に到達せしめ、炭化珪素単結晶を成長せしめることによって、安定した製造条件で連続的に大口径、高品位の炭化珪素単結晶を高速で製造することができる。 |
技術概要
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炭化珪素種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、この技術では、珪素原料からの蒸発ガスを上昇せしめて、珪素原料の温度より高く、また炭化珪素種結晶基板の温度より高く、かつ１，６００℃以上に加熱された、珪素原料の上方に配置された炭素材中を通過せしめ、さらに、炭素材と反応したガスを上昇せしめて、炭素材の上方に配置された該種結晶基板に到達せしめて該種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる。用いられる種結晶基板としては、成長したい炭化珪素単結晶と同じ結晶構造をもつ炭化珪素結晶を用いることが望ましい。成長結晶面は、どのような面方位でも利用できる。例えば、Ｃ軸垂直面（｛０００１｝面）、Ｃ軸平行面（｛１１００｝面）、オフ角度を導入した面などを用いることができる。種結晶基板の表面を研磨して平坦化して用いれば、成長単結晶の品質を向上できるので望ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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