ホウ素系化合物の製造方法

開放特許情報番号
L2010002145
開放特許情報登録日
2010/3/19
最新更新日
2010/3/19

基本情報

出願番号 特願平10-534135
出願日 1998/2/5
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 WO1998/034938
公開日 1998/8/13
登録番号 特許第4047390号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 ホウ素系化合物の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 平版印刷、樹脂凸版、歯科技術、光重合性組成物、光重合開始剤
目的 光重合開始剤あるいは光吸収性消色剤として有用なホウ素系化合物の製造方法において、光重合開始剤あるいは光吸収性消色剤として有用な高純度のホウ素系化合物を高収率で短時間で得ることが可能な製造方法の提供。
効果 光重合開始剤あるいは光吸収性消色剤として有用な、特定の高純度のホウ素系化合物を、従来法に比べて短時間で、かつ高収率で得ることができる。
技術概要
この技術は、式(4)(式中、R↑1およびR↑2は互いに異なり、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、または置換基を有してもよい脂環基を表わし、Mはリチウムまたはマグネシウムを表わし、Mがリチウムの時はnは1であり、Mがマグネシウムの時はnは2である。)で示されるボレイト金属塩に、式:Z↑+・X↑−(式中、Z↑+はアンモニウムカチオン、ピリジニウムカチオン、スルホニウムカチオン、オキソスルホニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、またはヨードニウムカチオンを表わし、X↑−はハロゲン原子アニオンを表わす。)で示されるオニウムハライドを加えてイオン交換反応をさせることを特徴とする、式(1)(式中の記号は前記と同じ意味を表わす。)で示されるホウ素系化合物の製造方法を提供する。
イメージ図
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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