電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法

開放特許情報番号
L2010002134
開放特許情報登録日
2010/3/19
最新更新日
2010/3/19

基本情報

出願番号 特願平10-231872
出願日 1998/8/18
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開平11-135533
公開日 1999/5/21
登録番号 特許第3785822号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子制御半導体素子、半導体実装回路基板、IC
目的 はんだバンプを容易に形成することのできるシリコン半導体素子用の電極構造の提供、回路基板に対してボンディングワイヤーを用いることなく直接接続でき、信頼性が高く、接触抵抗の小さいはんだ被着シリコン半導体素子及びその製造方法の提供、ボンディング高さを自由に選択できるはんだ被着シリコン半導体素子及びその製造方法の提供及び接続部分(電極部分)に容易にはんだバンプを形成し、ボンディング高さを自由に選択可能な電極構造及びその製造方法の提供。
効果 この技術の半導体素子は、耐はんだ耐食性、はんだ濡れ性が良いので、はんだに対する密着性に優れている。また第1の金属層と第2の金属層の中間に中間金属層を挿入した時は表面電極の強度が向上する。また、これらの金属層はそれより下層の金属層を完全に覆っているので、下層の金属がはんだに食われたり、粘着性を付与するための薬品にサイドエッチされることがない。更にはんだ粉末を付着させる際には、付着させるはんだ粉末の粒径を選択することによりはんだの厚みをコントロールしやすい。
技術概要
この技術は、シリコン半導体面上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層、第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように、有機酸に対して耐腐食性が高く且つはんだ濡れ性が良い金属を積層した第2の金属層、さらに第2の金属層に金属露出部のみに粘着性を付与する薬剤を用いて粘着性を付与し、ハンダ粉末を付着させた後にリフローしたはんだバンプとからなるはんだ被着シリコン半導体素子を提供する。また、この技術は、シリコン基板に、第1の金属層を積層し、第1の金属層の全露出面を完全に覆うように第2の金属層を積層し、次いで第2の金属層の全表面を被覆材で被覆した後、所定部分の被覆材をエッチング除去して第2の金属層の表面の所定の範囲に窓を開け、ついで窓の部分の第2の金属層に選択的にナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体などの内の少なくとも一種を用いて粘着性を付与し、粘着部にはんだ粉末を付着させ、はんだ粉末をリフローすることからなるはんだ被着シリコン半導体素子の製造方法を提供する。
実施実績 【有】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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