インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド

開放特許情報番号
L2010002058
開放特許情報登録日
2010/3/12
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2009-286145
出願日 2009/12/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-129671
公開日 2011/6/30
登録番号 特許第5252507号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 インプリントリソグラフィ用モールド製作方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 半導体等のリソグラフィ手法の一つであるインプリントリソグラフィのモールド製作
目的 この発明は、モールド面内の任意位置の一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化し、製造コストを低減した、インプリントリソグラフィ用モールド製作方法を提供する。
効果 この発明によれば、パターンの開口率が高い領域ほど、エッチングにより形成されるモールド凹部を均一に浅くし、パターンの開口率が一定と見なした領域内では、凹部の深さを均一にしつつ、一定面積におけるモールド凹部の容積をモールド内のどこでも等しくしているために、インプリントにおいては残膜をインプリント領域全体で均一にすることができ、形成されるパターンの高さが各々の開口率の領域内で単一の高さとなり、製造コストを低減した上で、優れた特性を実現することができる。
技術概要
インプリントリソグラフィではインプリント可能媒体をマスクとして使用するために、残膜を除去するプロセスが必要であり、この残膜除去のプロセスを短時間でマスクの質を損なわないようにするために、残膜をインプリント領域全面にわたり薄く均一にする必要があった。しかし、一般的にパターンには、粗密がある場合が多いので、転写パターンにおける残膜を均一にすることは困難であった。この発明は、このモールド法の欠点を改善するもので、インプリントリソグラフィに使用するモールドを、マスクを用いたエッチングにより製作するモールド製作方法において、モールド面上に所望のパターンを形成するための第1マスクと、第1マスクを覆う第2マスクとを用いてエッチングを行い、第2マスクは、一定の面積内において、モールド面上に形成するパターンの開口率が高いほど、第1マスク開口部を覆う第2マスクの厚みが大きくなるよう設定され、エッチング時、第1マスクによるモールドのエッチングが開始時期を遅延することにより、パターンの開口率が高いほど、エッチングにより形成されるモールド凹部を一定領域内で均一に浅くし、一定面積におけるモールド凹部の容積を均一化するものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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