凹凸パターン形成方法

開放特許情報番号
L2010001802
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2009-035722
出願日 2009/2/18
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2010-192702
公開日 2010/9/2
登録番号 特許第5327743号
特許権者 国立大学法人信州大学
発明の名称 凹凸パターン形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 凹凸パターン形成方法
目的 近年、ナノメーターオーダーの凹凸パターンの形成をより簡便、低コストに実現できる微細加工技術として、ナノインプリント技術が検討されている。この技術は、主にナノスケールの凹凸パターンを形成したスタンパを樹脂薄膜が塗付された基板に押し当てて、樹脂薄膜に凹凸パターンを転写する成形加工技術である。 この発明は、薄膜にスタンパを押し当てて凹凸パターンを形成した場合に、基板表面の隣接する凸部間に実質的に残膜が存在しない凹凸パターン形成方法の提供を目的とする。
効果 薄膜にスタンパを押し当てて凹凸パターンを形成した場合に、基板表面の隣接する凸部間に実質的に残膜が存在しない凹凸パターン形成方法を提供することができる。
技術概要
基板表面に形成され、硬化性材料を主成分として含む薄膜に、弾性材料から構成される凹凸型が設けられたスタンパを押し当てた状態で、加熱及び/又は光照射を付与することにより、基板表面に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程を含み、且つ、下式(1)を満たす。 H(薄膜)<H(凹凸型)<H(凸部) ・・・(1) 〔式(1)中、H(薄膜)は、凹凸パターン形成工程実施前の薄膜の硬度、H(凹凸型)は凹凸型の硬度、H(凸部)は、凹凸パターン形成工程実施後の凹凸パターンを構成する凸部の硬度を表す。〕
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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