半導体装置

開放特許情報番号
L2010001779
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2015/9/30

基本情報

出願番号 特願2009-214114
出願日 2009/9/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-004065
公開日 2010/1/7
登録番号 特許第5110445号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 基板の結晶面方位、炭化珪素基板上、エピタキシャル相、電気的特性
目的 イオン注入で形成されたP型、N型の不純物半導体領域を有する炭化珪素半導体基板を用いた半導体装置において炭化珪素半導体基板表面の凹凸を小さくすることにより、最終的に半導体装置の電気特性を向上した半導体装置の提供。
効果 少なくとも最表層が(000−1)面の炭化珪素からなる半導体領域を有するとともに、その炭化珪素半導体領域にP型半導体領域およびN型半導体領域の少なくとも一方がイオン注入により選択的に形成されているので、炭化珪素半導体領域表面の凹凸を小さくすることができ、それにより、半導体装置のオン抵抗、耐電圧等の電気特性を向上することができる。
技術概要
この技術は、ダイオードに関するものであり、炭化珪素半導体基板上に形成された半導体装置であって、その基板は、炭化珪素半導体基板の(000−1)面から0°超で1°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層を有し、このエピタキシャル層に、P型半導体領域あるいはN型半導体領域の少なくとも一方がイオン注入により選択的に形成され、このP型半導体領域あるいはN型半導体領域の表層に接触するように金属電極が形成され、この金属電極とP型半導体領域あるいはN型半導体領域との間で整流作用を示すショットキー・バリア・ダイオード、あるいは、PN型ダイオードである。このように、ショットキー・バリア・ダイオードを製造する際に、最表層が(000−1)面を有する炭化珪素半導体領域に、P型半導体領域をイオン注入により形成したので、炭化珪素半導体基板表面の微細な凹凸を小さくすることができ、それにより、ショットキー・バリア・ダイオードのオン抵抗、耐電圧等の電気特性を向上することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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