アナターゼ型酸化チタンおよび透明導電薄膜

開放特許情報番号
L2010001777
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2013/9/26

基本情報

出願番号 特願2008-173787
出願日 2008/7/2
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2010-013309
公開日 2010/1/21
登録番号 特許第5317033号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 アナターゼ型酸化チタン
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホウ素をドープしたアナターゼ型酸化チタン、プラズマディスプレイパネル、ELパネル
目的 均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜の提供。
効果 本技術によれば均質性が期待でき、耐湿性の高い、新規導電体または新規透明導電薄膜を提供可能となる。
技術概要
この技術における酸化チタンは、ホウ素のドープ量を1×10↑(19)cm↑(−3)〜5×10↑(22)cm↑(−3)としたアナターゼ型酸化チタンである。また、この酸化チタンは、抵抗値が10↑(−3)[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタンである。ここで、10↑(−3)[Ω・cm]以下とは、10↑(−3)[Ω・cm]のオーダー〜10↑(−4)[Ω・cm]のオーダーの抵抗値を含むものである。また、透明導電薄膜は、ホウ素のドープ量を5×10↑(20)cm↑(−3)〜5×10↑(22)cm↑(−3)としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。また、この透明導電薄膜は、抵抗値が10↑(−3)[Ω・cm]以下である、ホウ素がドープされたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。ここで、10↑(−3)[Ω・cm]以下とは、10↑(−3)[Ω・cm]のオーダー〜10↑(−4)[Ω・cm]のオーダーの抵抗値を含むものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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