半導体発光素子

開放特許情報番号
L2010001668
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2012/9/25

基本情報

出願番号 特願2007-185948
出願日 2007/7/17
出願人 国立大学法人北海道大学、浜松ホトニクス株式会社
公開番号 特開2009-026816
公開日 2009/2/5
登録番号 特許第4931141号
特許権者 国立大学法人北海道大学、浜松ホトニクス株式会社
発明の名称 半導体発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体発光素子
目的 量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適であって動作評価が可能な半導体発光素子を提供する。
効果 量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適であって動作評価が可能な半導体発光素子を提供することができる。
技術概要
半導体発光素子1は、基板10と、基板10の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層11と、第1半導体層11上の第1領域に設けられた第1導電型の第2半導体層12と、第2半導体層12上に設けられた第2導電型の第3半導体層14と、第3半導体層14上に設けられた超伝導の第1電極15および超伝導の第2電極16と、第1半導体層11上の第2領域に設けられた第3電極17と、第1電極15が設けられた領域の下方であって第2半導体層12と第3半導体層14との間に設けられた半導体量子ドット領域13と、を備える。第1電極15のうち半導体量子ドット領域13の上方部分に貫通孔18が設けられ、第1電極15と第2電極16との間に間隙19が設けられている。この半導体発光素子は、超伝導の第1電極と第3電極との間に順バイアス電圧が印加されると、第2半導体層と第3半導体層とのpn接合部には、超伝導の第1電極から電子クーパー対が注入されるとともに、第2半導体層から正孔が注入され、これら電子クーパー対と正孔とが同時に再結合して、2つの互いに区別できない光子が同時に生成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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