| 出願番号 |
特願2006-535106 |
| 出願日 |
2005/8/23 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学、国立大学法人北海道大学 |
| 公開番号 |
WO2006/030608 |
| 公開日 |
2006/3/23 |
| 登録番号 |
特許第4423429号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学、国立大学法人 北海道大学 |
| 発明の名称 |
テラヘルツ電磁波放射素子及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
２つのコヒーレントな光波を入力し、混合してその差周波数に対応したテラヘルツ電磁波を放射出力するテラヘルツ電磁波放射素子に適用する。 |
| 目的 |
特定の積層構造を有するテラヘルツ電磁波放射素子を提供する。 |
| 効果 |
非放射２次元電子プラズモン波から放射電磁波への変換効率を向上させ、かつ、より広帯域性を実現できるテラヘルツ電磁波放射素子が可能になる。 |
技術概要
 |
半絶縁性の半導体バルク層と、半導体バルク層の直上に半導体ヘテロ接合構造によって形成される２次元電子層と、２次元電子層の１辺に電気的に接続されたソース電極と、ソース電極に対向する２次元電子層の他の１辺に接続されたドレイン電極と、２次元電子層の上面近傍に２次元電子層と平行に、２つの異なる直流バイアス電位を交互に設定できる２重ゲート電極格子と、半導体バルク層の下面に接して膜状に形成されたテラヘルツ帯では反射鏡として機能し、かつ光波帯では透明な透明金属ミラーと、によって構成され、２つの光波を透明金属ミラーの下面より入射させ、かつ、２重ゲート電極格子に２つの異なる直流バイアス電位を交互に与え、２重ゲート電極格子の配位に対応して２次元電子層の電子濃度を周期的に変調せしめたテラヘルツ電磁波放射素子にする（図１、図２）。２重ゲート電極格子は、入れ子型に２重の回折格子状に形成され、また、半導体バルク層の側面が半導体バルク層よりは低い比誘電率を有する低誘電材料で被覆されているのが好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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