半導体発光素子

開放特許情報番号
L2010001644
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2011/8/26

基本情報

出願番号 特願2006-171184
出願日 2006/6/21
出願人 浜松ホトニクス株式会社、国立大学法人北海道大学、日本電信電話株式会社
公開番号 特開2008-004672
公開日 2008/1/10
登録番号 特許第4787083号
特許権者 浜松ホトニクス株式会社、国立大学法人北海道大学、日本電信電話株式会社
発明の名称 半導体発光素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体発光素子
目的 レーザ光をパラメトリック下方変換する方法において、(a)光子対を発生するタイミングを制御することができない、(b)一度にただ一つの光子対だけを生成することができず必ずある確率で複数の光子対が生成されてしまう、(c)光子対を生成する速度が遅い、という問題点を解消し、量子情報処理や量子情報通信に用いるのに好適な半導体発光素子を提供する。
効果 この半導体発光素子は、量子もつれ合い(互いに区別することのできない)光子対を生成することができ、量子情報処理や量子情報通信において好適に用いられる。
技術概要
図1は、半導体発光素子1の断面図である。半導体発光素子1は、第1導電型の半導体基板11と、半導体基板11の一方の主面上に設けられた第1導電型の第1半導体層12と、第1半導体層12上に設けられた第2導電型の第2半導体層14と、第2半導体層14上に設けられた超伝導の第1電極15と、半導体基板11の他方の主面上に設けられた第2電極16と、を備える。さらに、この半導体発光素子1は、第1半導体層12と第2半導体層14との間に設けられた半導体量子ドット領域13を備える。ここで、第1導電型および第2導電型のうち、一方はp型であり、他方はn型である。この半導体発光素子1において、超伝導の第1電極15と第2電極16との間に順バイアス電圧が印加されると、正孔がp型AlGaAs半導体層12からGaSb半導体量子ドット領域13に注入されるとともに、電子クーパー対が超伝導の電極15からn型GaAs半導体層14を経てGaSb半導体量子ドット領域13に注入されて、これら電子クーパー対と2個の正孔とが同時に再結合して、2つの互いに区別できない光子が同時に生成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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