グラフェン集積回路

開放特許情報番号
L2010001643
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2013/3/18

基本情報

出願番号 特願2006-163856
出願日 2006/6/13
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2007-335532
公開日 2007/12/27
登録番号 特許第5167479号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 グラフェン集積回路の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 グラフェン集積回路
目的 グラフェンを含む非線形素子を集積化する技術を提供し、半導体の集積度を向上させる。
効果 グラフェン非線形素子が集積化された回路が提供されるので、さらなるデバイスの集積度の向上が達せられる。
技術概要
シリコンカーバイド基板のシリコン面に形成したグラフェンを含む非線形素子を有するグラフェン集積回路、及びその製造方法である。シリコンカーバイド基板1(図a)の表面を、絶縁膜2で覆った後、グラフェンを形成させる露出部3−1を設け(図b)、そのシリコンカーバイド基板を熱処理して、グラフェン3を形成する(図c)。グラフェン3を形成させる露出部3−1以外を絶縁膜2で覆うには、基板1の表面全体に絶縁膜2をデポジションで形成して、形成した絶縁膜2の所望の部位をエッチング等で除去する。絶縁膜2は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウムからなる膜である。所望の位置に形成したグラフェン上には、オーミック電極4が形成されて非線形素子を形成する(図d)。オーミック電極4は、クロム、チタン、ニッケル、パラジウムなどの金属膜などの積層体が好ましく、それにより低抵抗化が実現する。形成したオーミック電極は、ソース電極及びドレイン電極となる。非線形素子は、さらにゲート電極6が形成することが好ましい(図e)。ゲート電極6は、例えばグラフェン上にゲート酸化膜5を介して形成すればよい。これにより、ゲート変調されるトランジスタを得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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