磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法

開放特許情報番号
L2010001591
開放特許情報登録日
2010/3/5
最新更新日
2010/3/5

基本情報

出願番号 特願2001-150456
出願日 2001/5/21
出願人 北海道大学長
公開番号 特開2002-343943
公開日 2002/11/29
登録番号 特許第3482469号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、生活・文化
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、ランダムアクセスメモリ(RAM)等の分野で広く利用される。
目的 実用に足るMRAMを提供することのできる新規な磁気記憶素子を提供し、これを用いた磁気メモリを提供し、さらには、磁気記憶素子及び磁気メモリに対する磁気記録方法を提供するとともに、磁気記憶素子及び磁気メモリに対する製造方法を提供する。
効果 スピンボルテックスによる磁化の向きに応じて書き込みを行う全く新規な構成の磁気記憶素子、及びこれを用いた磁気メモリが得られる。
技術概要
外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜1と、この第1の磁性体薄膜の上方において、膜面と略垂直な磁化Cを有する第2の磁性体薄膜2とを具える、磁気記憶素子10である。尚、第1の磁性体薄膜は、円柱状であり、パーマロイからなり、直径が、0.05μm〜50μmであり、厚さが、1μm以下である。また、所定の基板上にレジスト膜を一様に形成し、レジスト膜に露光現像処理を施すことにより、所定の基板の主面が露出した開口部を有するレジストパターンを形成し、レジストパターンを介して成膜処理を施すことにより、所定の基板の主面上に、外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜と、膜面と略垂直な磁化を有する第2の磁性体薄膜とを順次に積層して、第1の磁性体薄膜と、第2の磁性体薄膜とを具える磁気記憶素子を製造する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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