半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2010001248
開放特許情報登録日
2010/2/19
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2001-087230
出願日 2001/3/26
出願人 独立行政法人 科学技術振興機構
公開番号 特開2002-289612
公開日 2002/10/4
登録番号 特許第3533377号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体集積回路等に用いられる金属―酸化物―半導体(MOS)トランジスタ等の製造に有用な半導体基板表面の酸化膜の形成に適用する。
目的 特定の化合物を用い、特定の条件下で形成せしめる半導体基板表面の酸化膜の形成方法を提供する。
効果 半導体基板の表面に高品質の酸化膜を制御性よく形成するとともに、デバイスに適用した場合にリーク電流密度を下げることのできる酸化膜の形成が可能になる。
技術概要
 
(A)加熱した過塩素酸を含有する溶液中に半導体基板を浸漬して、その半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程、及び(B)酸化膜を形成した半導体基板を加熱処理して酸化膜中の残留塩素を除去する工程、からなる半導体基板の酸化膜の形成方法にする。工程Aは、過塩素酸を含有する溶液の過塩素酸濃度が10vol%以上で、しかも過塩素酸を含有する溶液の温度が170℃〜溶液の沸点で行なわれ、また、工程Bの加熱処理は、窒素、アルゴン及び水素等の雰囲気において、600〜1,100℃の温度で行なわれる。尚、工程Aは、半導体基板を加熱しながら過塩素酸を含有する気体(例えば蒸気)に暴露してその半導体基板の表面に酸化膜を形成することもできる。かくして、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、砒化ガリウム、燐化インジウム、シリコンゲルマニウムカーバイド等からなる半導体基板に酸化膜を形成し、更に、その酸化膜上に導電層を形成することにより半導体装置が得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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