磁界検出素子および磁界検出装置

開放特許情報番号
L2010001208
開放特許情報登録日
2010/2/19
最新更新日
2014/7/31

基本情報

出願番号 特願2007-323274
出願日 2007/12/14
出願人 国立大学法人東北大学、宮城県
公開番号 特開2009-145217
公開日 2009/7/2
登録番号 特許第5540180号
特許権者 国立大学法人東北大学、宮城県
発明の名称 磁界検出素子および磁界検出装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 磁界検出素子および磁界検出装置
目的 所定の閾値以上の磁界が印加されたという事象を記憶する機能を有し、この記憶をリセットするために、ある定められた方向と強度の磁界をリセット信号とする機能を有した磁界検出素子およびこれを利用した記憶素子、磁界検出装置を提供する。
効果 この磁界検出素子は、絶対値として閾値以上の磁界が素子に印加された場合に、この事象を記憶する機能を有した磁界検出素子であり、定められた強度と方向の磁界がリセット信号として素子に印加されるまで記憶状態を保持することができるという従来に無い優れた効果が得られる。
技術概要
外部磁界を印加することにより、ストライプ状磁区構造、薄膜磁性体の長手方向に対し平行あるいは反平行な磁気モーメントを主成分とする磁区構造に転位する特性を有し、外部磁界零において磁気モーメントの状態がストライプ状磁区構造、薄膜磁性体の長手方向に対し平行あるいは反平行の3つの磁区構造をとりうる磁界検出素子である。図aは還流磁区を有したストライプ状磁区構造であり、低インピーダンス状態となる。図bあるいはcは磁区の方向が一方向(長手方向に反平行あるいは平行)にまとまった単磁区構造であり、高インピーダンス状態となる。ストライプ状磁区構造と長手方向に反平行あるいは平行にまとまった単磁区構造では、インピーダンスが大きく違っている。これら3つの状態が外部磁界零の近傍でいずれの状態も存在し得ることが本発明の原理となる。例えば図cのように磁界のプラス方向に主として磁区(磁気モーメント)がまとまった状態を長手方向に対し平行、図bのように磁界のマイナス方向に主として磁区がまとまった状態を長手方向に対し反平行である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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