電磁波放射素子

開放特許情報番号
L2010001191
開放特許情報登録日
2010/2/19
最新更新日
2013/7/19

基本情報

出願番号 特願2008-065890
出願日 2008/3/14
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2009-224467
公開日 2009/10/1
登録番号 特許第5268090号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 電磁波放射素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電磁波放射素子
目的 非放射2次元電子プラズモン波から放射電磁波への変換効率を向上させ、狭帯域でかつ高出力なテラヘルツ波を放射する電磁波放射素子を提供する。
効果 非放射2次元電子プラズモン波から放射電磁波への変換効率が向上し、より狭帯域性でかつ高出力のテラヘルツ波を放射する電磁波放射素子を実現できる。
技術概要
半導体ヘテロ接合構造によって形成される2次元電子層と、2次元電子層の両辺に電気的に接続され両者の間にバイアス電位が与えられたソース及びドレインと、2次元電子層の上方に電子供給層を介して2次元電子層と平行にかつ格子状に配置され、直流バイアス電位が与えられたゲート電極格子とを含み、ゲート電極格子の配位に対応して2次元電子層の電子濃度を周期的に変調させるとともに、2次元電子層に2つのコヒーレントな光波を入力、混合してその差周波数に対応したテラヘルツ電磁波を放射出力する電磁波放射素子である。ドレイン及びソース間の直流バイアス電位に依存するゲート電極格子下の電子濃度の平方根とゲート電極格子の幅の比が一定値となるように、各ゲート電極格子の幅を定める。半絶縁性バルク層を構成する基板の上に、半導体へテロ接合構造を形成する。半導体ヘテロ接合構造は、ワイドバンドギャップのバッファ層、ナローバンドギャップの真性半導体によるチヤネル層、ドナーを2次元的にドープしたワイドバンドギャップの電子供給層(キャリア供給層)から構成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT