超伝導膜構造及びその作製方法

開放特許情報番号
L2010001014
開放特許情報登録日
2010/2/12
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2008-134155
出願日 2008/5/22
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-280442
公開日 2009/12/3
登録番号 特許第5147121号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 超伝導膜構造及びその作製方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 超伝導膜構造およびその作製方法、単層カーボンナノチューブを用いた超伝導素子、ホウ素置換型単層カーボンナノチューブ
目的 多層カーボンナノチューブを用いた超伝導素子はあるが、単層カーボンナノチューブは水素貯蔵機能や電界放出機能等研究されてきたが、超伝導の報告は殆どない。単層カーボンナノチューブ自体が超伝導状態となれば、各単層カーボンナノチューブが強いスピンコヒーレンスとエンタングルメントを持つので、量子コンピュータや量子テレポーテーションなど次世代量子エレクトロニクスに利用できる。そこで、多層カーボンナノチューブと同程度の高温で単層カーボンナノチューブを超伝導状態にすることを可能にする超伝導膜構造及びその作製方法を提供する。
効果 この超伝導膜構造は、多層カーボンナノチューブと少なくとも同程度の高温で超伝導状態となることができる。また、この超伝導膜構造の作製方法によれば、多層カーボンナノチューブと同程度の高温で単層カーボンナノチューブを超伝導状態にすることが可能となる超伝導膜構造を形成できる。
技術概要
この超伝導膜構造は、基板上に複数の単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ膜が形成された超伝導膜構造で、この単層カーボンナノチューブが単層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブである。基板上に形成された膜を構成する単層カーボンナノチューブとしてホウ素置換型単層カーボンナノチューブを用いることで膜構造を超伝導状態とできる。カーボンナノチューブ膜厚が、均一であるとマイスナー電流が発生し易く膜構造を超伝導状態とできるので、膜厚は略均一が好ましい。ホウ素置換型単層カーボンナノチューブ中のホウ素原子の置換率は、炭素原子100に対して0より多く4以下が好ましい。この超伝導膜構造の超伝導転移温度は12K以下である。この超伝導膜構造は基板上に、構成炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型単層カーボンナノチューブを含む塗布液をスピンコート法により塗布し、カーボンナノチューブ膜を作製する方法で作製される。図は、超伝導膜構造を説明するための模式図、測定結果、電子顕微鏡像((A)スピンコートなし、(B)はスピンコートありの実施形態)を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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