ダイヤモンド基板の表面処理方法及びそれにより得られるダイヤモンド基板

開放特許情報番号
L2010000684
開放特許情報登録日
2010/1/29
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2008-132453
出願日 2008/5/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-283575
公開日 2009/12/3
登録番号 特許第5234541号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド基板の表面処理方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、表面処理
適用製品 ダイヤモンド基板の表面処理方法により得られるダイヤモンド基板
目的 どのような形状のダイヤモンド基板表面であっても、エッチング処理により損傷を受けたダイヤモンド基板表面に有効であり、ダイヤモンド基板表面エッチング表面の損傷欠陥やエッチングガスであるフッ素の除去、さらには酸素の除去を行う方法を提供する。また、イオンビームエッチングのイオンである酸素やガリウム等を除去する方法を提供する。
効果 ダイヤモンド基板表面において、エッチングにより形成された損傷や、不純物や汚染の除去をおこなう方法であり、デバイス特性の改善が期待できる。
技術概要
 
ダイヤモンド基板表面にエッチング処理が施されたダイヤモンド基板であって、結晶構造(100)、(111)又は(110)のいずれかの面方位、これら面方位の組合わさった結晶のダイヤモンド基板表面、若しくは結晶面方位がランダムで複数面方位を有するチップ状、針状、ドーム状、半球状、球状、柱状、多面体、三角錐、円錐構造から選ばれる形状のダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程と、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は、酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を含むダイヤモンド基板の表面処理方法である。また、熱処理温度は、900℃以上であり、酸素を含む化学薬品溶液が硝酸又は硫酸であり、真空度が、1x10↑−↑4Pa以下であるダイヤモンド基板の表面処理方法である。さらに、ダイヤモンド基板表面を真空中で熱処理を行う工程を行った後、酸素を含む化学薬品溶液による煮沸、又は酸素プラズマに曝す、又は、酸素を含む気体に曝した後、真空中で熱処理する工程を行う表面処理方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 このダイヤモンド加工体の表面処理方法は、パワー半導体デバイス、電子放出源、電極、MEMS、センサー、放射線用デバイス、発光や受光等の光デバイスなどのダイヤモンドを利用する全ての電子デバイス、バイオデバイスとして利用できるため、産業上きわめて利用可能性が高いものである。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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