半導体放射線検出装置

開放特許情報番号
L2010000672
開放特許情報登録日
2010/1/22
最新更新日
2015/6/24

基本情報

出願番号 特願2008-278727
出願日 2008/10/29
出願人 独立行政法人理化学研究所
公開番号 特開2010-107312
公開日 2010/5/13
登録番号 特許第5371086号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 半導体放射線検出装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 X線、γ線、半導体結晶
目的 複数回の相互作用が発生した場合でも、各相互作用の位置を精度良く求めることのできる半導体放射線検出装置の提供。
効果 本技術によれば、複数回の相互作用が発生した場合でも、各相互作用の位置を精度良く求めることが可能となる。
技術概要
この技術では、半導体結晶の両面に設けられた分割電極から得られる信号から各相互作用のエネルギーデポジット値を求めるエネルギー算出部と、結晶内の各位置について単一の相互作用が発生した場合に分割電極から得られる波形をあらかじめ記憶するリファレンス波形記憶部と、結晶内の任意の2点を相互作用の候補点として、それぞれの候補点に対応するリファレンス波形をエネルギーデポジット値の比に応じて合成する波形合成部と、計測された波形と合成波形を比較する比較部を有し、最も類似する合成波形を与える候補点を相互作用の位置とする。ここで、電極から得られる波形を解析することで相互作用の位置を大まかに限定し、リファレンス波形の合成・比較する量を減らすことが好適である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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