テラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法

開放特許情報番号
L2010000657
開放特許情報登録日
2010/1/22
最新更新日
2015/6/24

基本情報

出願番号 特願2010-001840
出願日 2010/1/7
出願人 独立行政法人理化学研究所
公開番号 特開2010-206176
公開日 2010/9/16
登録番号 特許第5473616号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 テラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 テラヘルツ光検出器
目的 グラフェンの特異な電子特性を利用して、極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を非常に広い周波数範囲で正確に測定することができるテラヘルツ電磁波検出装置とその検出方法の提供。
効果 本技術によれば、グラフェンにおけるこのエネルギー間隔は、通常の半導体と比較して1〜2桁以上に広いので、テラヘルツ光の周波数を非常に広い周波数範囲、例えば1〜50THz程度の範囲で正確に測定することができる。
技術概要
この技術では、表面に酸化層が形成された半導体チップと、半導体チップの表面に密着して設けられた2次元グラフェン、導電性のソース電極、及びドレイン電極と、半導体チップの裏面に密着して設けられたゲート電極とを備える。2次元グラフェンは、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続されている。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電流を流し、その間のSD電圧を検出するSD電圧検出回路と、ゲート電極に可変ゲート電圧を印加するゲート電圧印加回路と、2次元グラフェンに可変磁場を印加する磁場発生装置とを備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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