イメージセンサのための画素及びイメージセンサデバイス

開放特許情報番号
L2010000606
開放特許情報登録日
2010/1/22
最新更新日
2012/7/27

基本情報

出願番号 特願2007-093506
出願日 2007/3/30
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2008-252695
公開日 2008/10/16
登録番号 特許第4956750号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 イメージセンサのための画素及びイメージセンサデバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 イメージセンサのための画素及びイメージセンサデバイス
目的 フォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去するための信号レベルおよびリセットレベルの2つの信号を簡易な回路で提供可能な、イメージセンサのための画素を提供する。また、画素のフォトダイオードによって生成された電荷の高い転送効率および電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去可能なイメージセンサデバイスを提供する。
効果 イメージセンサのための画素が提供され、このイメージセンサは、フォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去するための信号レベルおよびリセットレベルの2つの信号を簡易な回路で提供可能である。また、イメージセンサデバイスが提供され、このイメージセンサデバイスは、画素のフォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去可能である。
技術概要
図1は、イメージセンサ用の画素回路を示す図面である。画素11では、転送スイッチ17は、電子シャッタ動作のための転送信号TXに応答してフォトダイオード13からの電荷を浮遊半導体領域17に転送する。リセットスイッチ19はリセット信号Rに応答して浮遊半導体領域17をリセットし、リセットスイッチ25はリセット信号Rに応答して反転増幅器21の出力21bにリセット電圧を与える。キャパシタ27は、リセット動作により生じるオフセット電荷を格納する。電子シャッタ動作が完了したとき、ホールド回路23にはリセットレベルに対応する電荷が格納され、浮遊半導体領域17にはフォトダイオード13からの電荷が格納される。図2は、イメージセンサデバイスの構成を概略的に示す図面、図3は、図2に示されたイメージセンサデバイスの動作を示すタイミングチャートを示す図面、である。このイメージセンサデバイス51は、画素アレイ53、信号処理回路55及び制御回路57を含む。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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