| 出願番号 |
特願2007-093506 |
| 出願日 |
2007/3/30 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
特開2008-252695 |
| 公開日 |
2008/10/16 |
| 登録番号 |
特許第4956750号 |
| 特許権者 |
国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 |
イメージセンサのための画素及びイメージセンサデバイス |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
イメージセンサのための画素及びイメージセンサデバイス |
| 目的 |
フォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去するための信号レベルおよびリセットレベルの２つの信号を簡易な回路で提供可能な、イメージセンサのための画素を提供する。また、画素のフォトダイオードによって生成された電荷の高い転送効率および電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去可能なイメージセンサデバイスを提供する。 |
| 効果 |
イメージセンサのための画素が提供され、このイメージセンサは、フォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去するための信号レベルおよびリセットレベルの２つの信号を簡易な回路で提供可能である。また、イメージセンサデバイスが提供され、このイメージセンサデバイスは、画素のフォトダイオードによって生成された電荷を高い効率で転送可能であると共に、電子シャッタ機能を提供可能であり、画素のリセットノイズを除去可能である。 |
技術概要
 |
図１は、イメージセンサ用の画素回路を示す図面である。画素１１では、転送スイッチ１７は、電子シャッタ動作のための転送信号ＴＸに応答してフォトダイオード１３からの電荷を浮遊半導体領域１７に転送する。リセットスイッチ１９はリセット信号Ｒに応答して浮遊半導体領域１７をリセットし、リセットスイッチ２５はリセット信号Ｒに応答して反転増幅器２１の出力２１ｂにリセット電圧を与える。キャパシタ２７は、リセット動作により生じるオフセット電荷を格納する。電子シャッタ動作が完了したとき、ホールド回路２３にはリセットレベルに対応する電荷が格納され、浮遊半導体領域１７にはフォトダイオード１３からの電荷が格納される。図２は、イメージセンサデバイスの構成を概略的に示す図面、図３は、図２に示されたイメージセンサデバイスの動作を示すタイミングチャートを示す図面、である。このイメージセンサデバイス５１は、画素アレイ５３、信号処理回路５５及び制御回路５７を含む。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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