量子ドットの形成方法および量子ドット装置

開放特許情報番号
L2010000330
開放特許情報登録日
2010/1/22
最新更新日
2011/10/7

基本情報

出願番号 特願2005-042680
出願日 2005/2/18
出願人 国立大学法人鳥取大学
公開番号 特開2006-229059
公開日 2006/8/31
登録番号 特許第4810654号
特許権者 国立大学法人鳥取大学
発明の名称 量子ドットの形成方法および量子ドット装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ナノテクノロジー、半導体レーザー、量子コンピュータ
目的 GaAs基板、AlAs基板あるいはGaAlAs混晶基板上において、ナノスケールで所望する位置あるいは所望する密度で、純粋なInAs量子ドットを形成することができる量子ドットの形成方法およびこの形成方法を用いて製造される量子ドット装置の提供。
効果 Ga原子あるいはGa原子クラスタをぬれ層の所望の位置に配置することにより、ぬれ層上にInAsを主成分とする量子ドットを所望の位置に形成することができる。また、ぬれ層に配置されるGa原子あるいはGa原子クラスタの密度を制御することにより、ぬれ層上に形成されるInAsを主成分とする量子ドットの密度を所望の大きさにすることができる。
技術概要
この技術に係わる量子ドットの形成方法は、GaAs基板、AlAs基板あるいはGaAlAs混晶基板の上にInAsをぬれ層として成長させる際に、In原子に混じってGa原子あるいは複数のGa原子からなるGa原子クラスタをぬれ層に配置し、配置されたGa原子あるいはGa原子クラスタと対応する位置において、ぬれ層の上にInAsを主成分とする量子ドットを形成させるようにしている。あるいは、GaAs基板、AlAs基板あるいはGaAlAs混晶基板の上にInAsをぬれ層として成長させる際に、In原子に混じってAl原子あるいは複数のAl原子からなるAl原子クラスタをぬれ層に配置し、配置されたAl原子あるいはAl原子クラスタと対応する位置において、ぬれ層の上にInAsを主成分とする量子ドットを形成させるようにしている。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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