| 出願番号 |
特願2005-042680 |
| 出願日 |
2005/2/18 |
| 出願人 |
国立大学法人鳥取大学 |
| 公開番号 |
特開2006-229059 |
| 公開日 |
2006/8/31 |
| 登録番号 |
特許第4810654号 |
| 特許権者 |
国立大学法人鳥取大学 |
| 発明の名称 |
量子ドットの形成方法および量子ドット装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ナノテクノロジー、半導体レーザー、量子コンピュータ |
| 目的 |
ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板上において、ナノスケールで所望する位置あるいは所望する密度で、純粋なＩｎＡｓ量子ドットを形成することができる量子ドットの形成方法およびこの形成方法を用いて製造される量子ドット装置の提供。 |
| 効果 |
Ｇａ原子あるいはＧａ原子クラスタをぬれ層の所望の位置に配置することにより、ぬれ層上にＩｎＡｓを主成分とする量子ドットを所望の位置に形成することができる。また、ぬれ層に配置されるＧａ原子あるいはＧａ原子クラスタの密度を制御することにより、ぬれ層上に形成されるＩｎＡｓを主成分とする量子ドットの密度を所望の大きさにすることができる。 |
技術概要
 |
この技術に係わる量子ドットの形成方法は、ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板の上にＩｎＡｓをぬれ層として成長させる際に、Ｉｎ原子に混じってＧａ原子あるいは複数のＧａ原子からなるＧａ原子クラスタをぬれ層に配置し、配置されたＧａ原子あるいはＧａ原子クラスタと対応する位置において、ぬれ層の上にＩｎＡｓを主成分とする量子ドットを形成させるようにしている。あるいは、ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板の上にＩｎＡｓをぬれ層として成長させる際に、Ｉｎ原子に混じってＡｌ原子あるいは複数のＡｌ原子からなるＡｌ原子クラスタをぬれ層に配置し、配置されたＡｌ原子あるいはＡｌ原子クラスタと対応する位置において、ぬれ層の上にＩｎＡｓを主成分とする量子ドットを形成させるようにしている。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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