半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2010000139
開放特許情報登録日
2010/1/15
最新更新日
2012/12/19

基本情報

出願番号 特願2008-218688
出願日 2008/8/27
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2009-076895
公開日 2009/4/9
登録番号 特許第5110593号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 半導体材料、それを用いた太陽電池、およびそれらの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 バリウムシリサイド系半導体、太陽電池
目的 得られる半導体材料の電子密度を、広い電子密度範囲において所望の値となるように容易に制御することができる半導体材料の製造方法、およびそれにより得られる半導体材料の提供。
効果 本技術によれば、得られる半導体材料の電子密度を、広い電子密度範囲において所望の値となるように容易に制御することが可能となる。また、このようにして製造された半導体材料を用いた太陽電池を得ることが可能となる。
技術概要
本技術の半導体材料は、As原子、Sb原子、Bi原子およびN原子からなる群から選択される少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを含有する。また、半導体材料は、Sr原子、Ca原子およびMg原子からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属原子をさらに含む。また、半導体材料はn型であることが好ましく、厚みが0.01〜0.1μmであることが好ましい。そして、本技術の太陽電池は、基板と、基板上に配置されている、Ba原子とSi原子とを含有するバリウムシリサイド層と、バリウムシリサイド層上に配置されているAs原子、Sb原子、Bi原子およびN原子からなる群から選択される少なくとも1種の不純物原子とBa原子とSi原子とを含有する不純物ドープバリウムシリサイド層と、不純物ドープバリウムシリサイド層上に配置されている上部電極と、基板上に配置されている下部電極と、を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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