半導体装置およびその製造方法

開放特許情報番号
L2010000126
開放特許情報登録日
2010/1/15
最新更新日
2010/1/15

基本情報

出願番号 特願2007-186334
出願日 2007/7/17
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2007-318164
公開日 2007/12/6
発明の名称 半導体装置およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 化合物半導体レーザ、量子ドットレーザ
目的 量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化および配列の乱れを抑制することができ、量子ドット層の高密度化を図り得る半導体装置およびその製造方法の提供。
効果 本技術によれば、量子ドット層の積層数の増加に伴う歪みの蓄積や局所的な歪み場のぼやけを抑制できるので、量子ドット層の積層数に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図ることができる。
技術概要
この技術では、InP基板上に、基板よりも格子定数の大きい第1層目の量子ドット層が形成され、その上に基板と略同じ大きさの格子定数を有する緩衝層(第1のバッファ層)が形成されている。そして、バッファ層上に、基板よりも格子定数の大きい第2層目以上の量子ドット層と基板よりも格子定数の小さい中間層とが交互に積層され、最上層は量子ドット層となっている。第1層目の量子ドット層は、その組成式がInAs↓xP↓(1−x) (x>0.5)で表される合金によって形成されている。第2層目以上の量子ドット層は、InAs合金によって形成されている。第1層目および第2層目以上の量子ドット層の格子定数は、約0.6058nmである。バッファ層および各中間層は、ともに組成式がIn↓xGa↓yAl↓(1−x−y)As (0<x+y<1)で表される材料(合金)によって形成されているが、互いに組成比が異なっている。バッファ層の格子定数は、約0.58694nmであり、各中間層の格子定数は、約0.58547nmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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