シクロデキストリン誘導体、シクロデキストリン誘導体の製造方法、及びクオラムセンシングの阻害方法

開放特許情報番号
L2010000107
開放特許情報登録日
2010/1/15
最新更新日
2012/2/17

基本情報

出願番号 特願2008-135674
出願日 2008/5/23
出願人 国立大学法人宇都宮大学
公開番号 特開2009-280736
公開日 2009/12/3
登録番号 特許第4905724号
特許権者 国立大学法人宇都宮大学
発明の名称 シクロデキストリン誘導体
技術分野 有機材料、食品・バイオ
機能 安全・福祉対策、材料・素材の製造
適用製品 シクロデキストリン誘導体、シクロデキストリン誘導体の製造方法、クオラムセンシングの阻害方法
目的 グラム陰性細菌は、N−アシル−L−ホモセリンラクトン(AHL)をオートインデューサーとして使っており、クオラムセンシングは病原性因子の発現を誘導する場合が多い。病原性抑制には、クオラムセンシングの阻害が有効となる。AHLトラップ物質としてシクロデキストリン(CD)が有望視されるが、現状では、天然に存在するα−CD、β−CD、γ−CDはAHLに対する選択性が低く、病原性抑制効果を得るには高濃度のCDを必要とする。そこで、AHLのようなオートインデューサーを、高い選択率でトラップできるCD誘導体を提供する。
効果 このシクロデキストリン誘導体により、AHLのようなオートインデューサーを、再現性よく、高い選択率でトラップすることができる。AHLのトラップが良好に行われ、クオラムセンシングを阻害する効果が大きく向上する。一方、このシクロデキストリン誘導体は、セラチア菌を殺菌することがなく、きわめて毒性が低い。
技術概要
このシクロデキストリン誘導体は、一般式CDZ(−X↓1−R↓1)nで表され、クオラムセンシングを阻害するために用いられる。一般式中、CDZはシクロデキストリン残基を表し、この残基がα−シクロデキストリンの残基の場合はn=1〜18、β−シクロデキストリンの残基の場合はn=1〜21、γ−シクロデキストリンの残基の場合はn=1〜24の整数であり、X↓1は、−NH−、−O−等で、R↓1は、置換基を有してもよいアルキル基等である。特に、X↓1が−NH−、R↓1が炭素数7以上のアルキル基であることが好ましい。このシクロデキストリン誘導体の製造は、トシル化することによりシクロデキストリン誘導体の前駆体を得る第1合成工程と、この前駆体からシクロデキストリン誘導体を得る第2合成工程とからなる。クオラムセンシングの阻害は、シクロデキストリン誘導体がオートインデューサーをトラップすることによって行われる。クオラムセンシングの阻害方法は、好ましくはバクテリアがグラム陰性細菌であり、オートインデューサーがN−アシル−L−ホモセリンラクトンである。図はシクロデキストリン誘導体の1例と幾つかの具体例の立体構造を示す模式的斜視図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 宇都宮大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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