超電導材料、超電導薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2010000073
開放特許情報登録日
2010/1/8
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-220102
出願日 2009/9/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-068511
公開日 2011/4/7
登録番号 特許第5334120号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 超電導材料、超電導薄膜及びその製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 鉄ヒ素系超電導材料、超伝導薄膜
目的 鉄ヒ素系超伝導材料において、高いTcを有する良質な超電導材料を得ることの実現。
効果 鉄ヒ素系超伝導材料に水素を含有させることにより、良質な超伝導体が得られる。水素を含有させることによって、結晶格子を大きく収縮させることができ、そのため、酸素を多く欠損させることなく、高いTcの超電導材料を得ることができる。また、結晶中に入らなかった余分な水素は、超電導材料から製造過程で自然に出て行くので、超電導材料中の不純物が少なくできる。
技術概要
 
この技術では、鉄ヒ素系超電導材料は、水素を含有することを特徴とする。この技術の鉄ヒ素系超電導材料は、ZrCuSiAs型の結晶構造を有することを特徴とする。また、鉄ヒ素系超電導材料は、酸素欠損型に水素を含有させることが好ましいが、酸素欠損型でない化学式LnFeAsOで表される母物質に水素を含有させても良い。具体的には、酸素欠損型とは、化学式LnFeAsO↓(1−y)(Y及びランタノイド元素からなる群から選択される少なくとも1種の元素、yは0以上で0.5以下)で表される物質である。また、この技術の鉄ヒ素系超電導材料は、化学式LnFeAsO↓(1−y)H↓x(Y及びランタノイド元素からなる群から選択される少なくとも1種の元素、yは0以上0.5以下、xは0.01以上0.5以下)で表されることを特徴とする。具体例は、LnはLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dyなどである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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