ボロメータ用抵抗体膜

開放特許情報番号
L2010000052
開放特許情報登録日
2010/1/8
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2011-529913
出願日 2010/9/1
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2011/027774
公開日 2011/3/10
登録番号 特許第5300102号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ボロメータ用抵抗体膜
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化バナジウムを主成分とする抵抗体膜、非冷却型赤外センサ、赤外線の強度を検出、電気抵抗の温度係数
目的 レーザ光や紫外線の照射により、4%/K以上の高い抵抗温度係数(TCR)を有するとともに、温度変化による抵抗変化に大きなヒステリシスを示さない酸化バナジウム抵抗体膜を製造することについては、全く知られていなかったことに鑑み、温度変化による抵抗変化にヒステリシスがないか、あってもその温度幅が小さく、かつ、室温付近でTCRが4%/K以上である、酸化バナジウムを主成分とする抵抗体膜の提供。
効果 量産に適し、高いTCRを有するとともに、温度変化による抵抗変化にヒステリシスがないか、あってもヒステリシスの温度幅が1.5K未満と小さく、ポロメータ、温度センサ等に用いれば、高精度の測定を行うことができる抵抗体膜を提供することができる。
技術概要
この技術は、膜中に結晶質相と非晶質相を有する酸化バナジウムを主成分とする抵抗体膜である。抵抗体膜を支持する基材側に結晶質相が形成され、表面側に非晶質相が形成されているとよい。酸化バナジウム抵抗体膜中に結晶質相と非晶質(アモルファス)相を混在させると、全て結晶質相とした場合と比べてTCRの値は若干小さくなるものの、室温付近でTCRが4%/K以上となり、また、温度変化による抵抗変化にヒステリシスがないか、あってもヒステリシスの温度幅が1.5K未満と小さくなる。その詳細な理由は明確ではないが、酸化バナジウム抵抗体膜中に結晶質と非晶質(アモルファス)の部分を混在させると、全て結晶化した場合と同様に、金属絶縁体転移を示して、TCRの値に関しては、全て結晶化した場合と比べて小さいものの、半導体的となる場合と比べると相当大きくなり、温度変化による抵抗変化のヒステリシスに関しては、半導体的となる場合と同様に、ヒステリシスがないか、ヒステリシスがあってもその温度幅は1.5K未満と非常に小さくなるものと考えられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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