表面改質処理により高性能化された半導体光触媒及びその製造方法並びに該光触媒を用いた水素製造方法

開放特許情報番号
L2010000051
開放特許情報登録日
2010/1/8
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-203596
出願日 2009/9/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-050895
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5464414号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 表面改質処理により高性能化された半導体光触媒及びその製造方法並びに該光触媒を用いた水素製造方法。
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 表面改質処理により高性能化された半導体光触媒及び光触媒を用いた水素製造システム
目的 レドックス媒体を還元し、それと同時に酸素を製造する光触媒反応を高効率に進行できる光触媒を提供する。
効果 表面改質処理を施したタングステン系の可視光応答性光触媒によれば、レドックス媒体を還元し、同時に酸素を生成する光触媒反応に対する活性を、未処理のものと比べ飛躍的に向上させることができる。
技術概要
図1は、半導体光触媒に係る半導体結晶粒子の構造を示す模式図であり、1は、半導体結晶粒子、2は、表面処理で半導体結晶粒子の表面近傍内部に生成した金属Mと半導体との複合酸化物の薄膜層を表す。半導体光触媒は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、銀及びびニッケルからなる群のうち、少なくとも1つの元素Mを含む金属塩溶液を用いて水熱処理法もしくは含浸法により、半導体光触媒に表面改質処理を施すことにより製造される。半導体光触媒に対して施されるこの表面改質処理方法は、可視光照射によって、たとえば、Fe↑3↑+やIO↓3↑−などといったレドックス媒体を還元して、同時に酸素を製造するエネルギー蓄積型の光触媒反応に対する活性を大幅に向上させることができる。また、この半導体光触媒の存在下、可逆的なレドックス媒体の酸化体を含有する水溶液に光照射して酸素とレドックス媒体の還元体を生成させる工程、及び生成されたレドックス媒体の還元体を電解して酸化体に再生すると共に水素を発生させる工程を含む水素の製造方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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