単一光子発生装置

開放特許情報番号
L2010000048
開放特許情報登録日
2010/1/8
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-202608
出願日 2009/9/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-054777
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5317122号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 単一光子発生装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 単一光子発生装置
目的 2次元フォトニック結晶(2DPC)光共振器を用いた単一光子発生装置において、高効率化、高集積化、高偏波制御化を、同時に実現する単一光子発生装置を提供する。
効果 光ファイバーに効率よく単一光子を伝送することが可能な2DPC光共振器単一光子発生装置を提供できる。また、集積化に適した2DPC光共振器単一光子発生装置を提供できる。さらに、単一光子の偏波方向を制御可能な2DPC光共振器単一光子発生装置を提供できる。
技術概要
図1に、単一光子発生装置を示す。単一光子発生装置は、2次元フォトニック結晶光共振器のコアとなる材料と、2次元フォトニック結晶光共振器のコアとなる材料中に導入された発光体と、水素化アモルファスシリコンをコアとする光導波路と、2次元フォトニック結晶光共振器のクラッドとして機能する低屈折率材料と、水素化アモルファスシリコン光導波路のクラッドとして機能する低屈折率材料と、ウエハ接合用接着材料と、デバイス基板とを含み、2次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも1つの鏡映面を有し、水素化アモルファスシリコン光導波路が、2次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも1つの鏡映面を有するとともに、2次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置される。図2は単一光子発生装置の構成要素である2DPC光共振器、a−Si:H光導波路、図3は単一光子発生装置の構成要素である2DPC光共振器、図4は単一光子発生装置の構成要素であるa−Si:H光導波路、を夫々示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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