有機トランジスタ素子と電子・電気機器

開放特許情報番号
L2010000017
開放特許情報登録日
2010/1/8
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2008-121657
出願日 2008/5/7
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-272442
公開日 2009/11/19
登録番号 特許第5352118号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 有機トランジスタ素子と電子・電気機器
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機トランジスタ素子と電子・電気機器
目的 大気下加熱処理などを行わずに、MBOT(メタルベース有機トランジスタ)素子構造の改良により良好な電流増幅特性およびON/OFF比を得ることを可能にする。
効果 電流増加層を、上記電荷透過促進層と組み合わせることにより、さらなるオン電流の増加が可能となり、低電圧・大電流動作が可能なMBOT素子を、大気下加熱プロセスを用いることなく実現することができる。
技術概要
エミッタ電極とコレクタ電極との間に有機半導体層とシート状のベース電極が設けられている有機トランジスタ素子は、ベース電極とコレクタ電極の間に、電荷透過促進層を有する。有機半導体層はエミッタ電極とベース電極との間、並びにベース電極とコレクタ電極との間に設けられている。電荷透過促進層は、ベース前極に隣接して配置されている。電荷透過促進層は、Li、Na、K、Rb、Ca、Sr、およびBaのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物もしくは錯体のうちの少なくとも1種により構成されている。電荷透過促進層に隣接して漏れ電流抑制層が配置されている。漏れ電流抑制層は、電子輸送性有機半導体材により構成されている。ベース電極とコレクタ電極との間に電流増加層が配置されている。電流増加層は、電子輸送性材により構成されている。半導体層の形成材料は、Me−PTC、C60、BP−PTC、TPP、HAT、Alq3、や、NTCDA、PTCDA、Me−PTC、Ph−Et−PTCである。電荷輸送材料は、アントラキノジメタン、フルオレニリデンメタン等である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 電荷透過促進層を、ベース電極とオフ電流抑制層の間に挿入することにより、エミッタ電極より供給された電子がベース電極を高確率で透過できるようになり、オン電流が著しく増加する。これらの効果により、大気下加熱処理を行うことなく、オフ電流を抑制し、オン電流を増加させることが可能となる。
改善効果2 ベース・コレクタ電極間の有機半導体層に隣接して、有機半導体より成る電流増加層を挿入することにより、電荷透過促進層の効果を著しく増強できる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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