半導体装置

開放特許情報番号
L2009006936
開放特許情報登録日
2009/12/11
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-144175
出願日 2009/6/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-224797
公開日 2009/10/1
登録番号 特許第5212833号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置
目的 (0001)面や(11−20)面よりも優れた(000−1)面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有する炭化珪素(SiC)半導体装置を提供する。
効果 (0001)面や(11−20)面よりも優れた(000−1)面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するSiC半導体装置を提供することができる。
技術概要
半導体装置は、(000−1)面の炭化珪素からなる半導体領域にゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極と、半導体領域に電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜中に1E19/cm↑3から1E20/cm↑3の範囲の水素あるいは水酸基(OH)を含む。また、この半導体装置は、(000−1)面の炭化珪素からなる半導体領域にゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極と、半導体領域に電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜と半導体領域の界面に1E20/cm↑3から1E22/cm↑3の範囲の水素あるいは水酸基(OH)が存在する。図1は、炭化珪素基板を用いたMOSトランジスタの製造プロセス途中の断面図である。図1(a)の(000−1)面のP型炭化珪素基板1(4H−SiC)を通常のRCA洗浄をした後に、P型炭化珪素基板1にフォトリソグラフィー用のアライメントマークをRIE(Reactive Ion Etching)で形成する。次いで、図1(b)に示すようにソース領域あるいはドレイン領域のイオン注入用マスク2を熱酸化膜やCVD(Chemical Vapor Deposition)によるSiO↓2膜で形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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