炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路

開放特許情報番号
L2009006903
開放特許情報登録日
2009/12/4
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-197626
出願日 2009/8/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-049410
公開日 2011/3/10
登録番号 特許第5322169号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いて構成したインバータ回路および論理ゲート回路として電力用半導体素子等の分野で広く利用される。
目的 オン抵抗の低いSiC絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(MISFET)を用いて構成した論理回路を提供する。
効果 nチャネルSiC MISFETのみを用いて論理回路を構成したので、オン抵抗と寄生容量を小さくでき、CMOS構成の論理回路より高速動作を実現することができる。
技術概要
ソース、ドレイン、ゲートを有するnチャネルエンハンスメント型絶縁ゲート電界効果トランジスタ22と、ソース、ドレイン、ゲートを有するnチャネルデプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタ21とを備え、エンハンスメント型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートおよびソースにはそれぞれ入力信号23および第1の電源電位25が供給され、デプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタのドレインには第2の電源電位24が供給され、デプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲートとデプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソースとが電気的に接続され、エンハンスメント型絶縁ゲート電界効果トランジスタのドレインとデプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタのソースとが電気的に接続され、その接続点から出力信号26が取り出されるように構成され、エンハンスメント型絶縁ゲート電界効果トランジスタとデプリーション型絶縁ゲート電界効果トランジスタは炭化珪素材料を用いて構成されてなる、インバータ回路である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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