多バンド超伝導体及び該超伝導体を用いた超伝導デバイス並びに該超伝導体の作成方法

開放特許情報番号
L2009006881
開放特許情報登録日
2009/12/4
最新更新日
2011/3/25

基本情報

出願番号 特願2009-189974
出願日 2009/8/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-044460
公開日 2011/3/3
発明の名称 多バンド超伝導体及び該超伝導体を用いた超伝導デバイス並びに該超伝導体の作成方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高速で高性能な情報記録、情報処理及び情報伝達を実現する超伝導エレクトロニクス分野等で広く利用される。
目的 ジョセフソン相互作用を完全に消失させることなく、時間反転対称性の破れを実現する方法と、それによりドメイン壁の生成エネルギーを下げ、かつ、ドメイン壁の厚みを薄くできる方法及びそれらの方法により実現した超伝導体並びに該超伝導体を用いた超伝導デバイスを提供する。
効果 カイラルドメインを有する超伝導体を作ることができるので、カイラルドメインを、ピニングセンターとして用いることができ、また、カイラルドメインを、位相差ソリトンの代替として用いることができる。
技術概要
超伝導環境下において、バンド間位相差の2πの周期で変わるバンド間ジョセフソン相互作用によるポテンシャルに、π以下の周期で変動するポテンシャルを導入して、両者を拮抗させて、時間反転対称性の破れが生じている、多バンド超伝導体である。尚、ドメイン構造は、ドメイン構造を囲むドメイン壁によって、磁束をピン止めする。また、多バンド超伝導体は2バンド超伝導体であり、多バンド超伝導体は、Ba↓xK↓1↓−↓xFe↓2As↓2の組成を有する。更に、多バンド超伝導体の作成方法であって、超伝導環境下において、バンド間位相差の2πの周期で変わるバンド間ジョセフソン相互作用によるポテンシャルに、π以下の周期で変動するポテンシャルを導入して、両者を拮抗させて、時間反転対称性を破る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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