光電変換装置、および太陽電池

開放特許情報番号
L2009006544
開放特許情報登録日
2009/11/20
最新更新日
2010/7/30

基本情報

出願番号 特願2008-318834
出願日 2008/12/15
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2010-141268
公開日 2010/6/24
発明の名称 光電変換装置、および太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光センサ、太陽電池、有機材料
目的 新たな材料やタンデム構造を採用しなくても、光電変換効率を向上することのできる光電変換装置、および太陽電池の提供。
効果 本技術に係る光電変換装置では、半導体層に入射した光による励起状態と、隣接する半導体層からの励起エネルギーの移動による励起状態とを利用するため、PN接合面付近では電荷分離が効率よく発生する。従って、大きな電流を取り出すことができる。また、タンデム構造や新たな材料を採用しなくても、複数の半導体層を好適な組み合わせで積層するだけで光電変換効率を高めることができるという利点もある。
技術概要
この技術では、P型半導体層と、P型半導体層との間にPN接合面を構成するN型半導体層と、P型半導体層に電気的接続する第1電極と、N型半導体層に電気的接続する第2電極と、を有する光電変換装置において、P型半導体層およびN型半導体層のうちの少なくとも一方は、光吸収域が異なる複数の半導体層が積層された積層構造を備え、複数の半導体層において隣接する2つの半導体層では、PN接合面から遠い側に位置する半導体層の光吸収域がPN接合に近い半導体層の光吸収域に比較して短波長側にある。尚、P型半導体層およびN型半導体層のうち、P型半導体層が前記積層構造を備え、P型半導体層において隣接する2つの半導体層では、PN接合面から遠い側に位置する半導体層のHOMO(最高被占軌道)レベルがPN接合に近い半導体層のHOMOレベル以上であることが好ましい。このように構成すると、正孔を第1電極までスムーズに取り出すことができる。また、P型半導体層であれば、N型半導体に比較して、有機半導体の種類が多いので、組み合わせの自由度が高い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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