SRAMセル

開放特許情報番号
L2009006486
開放特許情報登録日
2009/11/13
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2011-524629
出願日 2010/7/2
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2011/013298
公開日 2011/2/3
登録番号 特許第5382886号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 SRAMセル
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 SRAM記憶装置、マルチポート化
目的 書き込み動作および読み出し動作を確実にすることに起因するトランジスタ寸法への制約条件が無く、ポートあたりの制御信号線が少なく、読み出し動作のみならず書き込み動作においてもマルチポート化が容易であって、書き込み動作と読み出し動作を一つのビット線で行える、言い換えれば、一つのビット線を書き込み動作と読み出し動作どちらにも使用することのできるSRAMセルの提供。
効果 本技術によれば、書き込み動作において正帰還回路が切断されるので、記憶内容の書き込みは容易である。また読み出し動作においては、正帰還回路を構成した状態であるので、書き込みノードがハイインピーダンスにならず、さらに読み出しバッファトランジスタでビット線の電位が書き込みノードに影響を与えることを防止しているので、雑音に対する耐性が高く、そのため、読み出し動作の雑音余裕を確保するためにインバータを構成するトランジスタに対して読み出しあるいは書き込み制御トランジスタの寸法を調整して設定する必要は無い。
技術概要
本技術のSRAMセルは、メモリセル、特に二つのインバータ間の正帰還回路を接続または切断制御する帰還制御トランジスタを備え、一本のビット線に接続された書き込み制御トランジスタと読み出し制御トランジスタとを有し、さらにその読み出し制御トランジスタに接続された読み出しバッファトランジスタを有する。また、SRAMセルは、記憶内容の書き込みと読み出し動作に共用できる複数本のビット線と、その各ビット線に対応する、一本の読み出し制御線と一本の書き込み制御線とを構成要素とする、ビット線と同数の複数の制御信号線対と、各ビット線と各制御信号線対の各構成要素とに接続され、また各ビット線に対応した、書き込み制御トランジスタと、読み出し制御トランジスタおよびバッファトランジスタとを構成要素とする複数のトランジスタ群を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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